Без лишних вступлений перейдем сразу к теме.

На работу памяти влияет частота шины памяти и так называемые тайминги - временные параметры работы памяти или задержки. Чем они больше, тем больше времени отводится на ту или иную операцию, тем медленнее и стабильнее работает память. Чем тайминги меньше, тем память работает быстрее, но возрастает вероятность ошибок.

Тайминги существенно влияют на производительность системы. Высокая частота шины памяти и высокие тайминги могут дать меньшую производительность, чем немного меньшая частота, но маленькие (их еще называют агрессивными) тайминги. Таймингов существует довольно много, но наиболее влиятельными считаются следующие: CAS Latency - Trcd - Trp - Tras. И именно в такой последовательности эти тайминги упоминаются в различных обзорах, тестах, статьях.

Как правило, когда говорят о таймингах памяти, приводят последовательность из четырех чисел. Например, это может быть: 2-3-3-7, то есть CAS Latency = 2, Trcd = 3, Trp = 3 и Tras = 7.

Настраивая тайминги памяти, будьте особенно внимательны и последовательны, меняйте их по одному. Желательно записывать изменения, перезагружать и тестировать систему после каждого изменения. Таким образом, в случае сбоя вы сразу же поймете, модификация какого параметра привела к нестабильности.

Модули памяти имеют специальную микросхему SPD (Serial Presence Detect), содержащую информацию о таймингах памяти. Как правило, в SPD хранятся установки, обеспечивающие гарантированную стабильную работу памяти.

Рассмотрим подробности настройки таймингов и параметров, имеющих отношение к оперативной памяти, на примере Award BIOS. Параметры настройки памяти обычно располагаются в разделе Advanced BIOS Features. Здесь вам могут встретиться следующие параметры.

Fast Command - очень важный параметр, возможные значения: Normal, Fast, Ultra. Наибольший выигрыш в производительности достигается при установке этого параметра в режим Ultra, однако в этом режиме возможно появление ошибок.

DRAM Timing - для ручной настройки таймингов памяти установите этот параметр в значение Manual.

DRAM CAS Latency - описывает количество тактов, через которое память отреагирует на запрос чтения данных. Этот параметр оказывает самое сильное влияние на производительность памяти. В современных материнских платах он может принимать значения 3 Т (такта), 2,5 Т, 2 Т и 1,5 Т. Как правило, минимальное значение CAS Latency, которое вам удастся выставить, это 2T. Чем CAS Latency меньше, тем, естественно, быстрее работает память. Однако иногда понижение этого параметра может привести к нестабильной работе компьютера - зависаниям и так далее. В этом случае надо выставить более высокое его значение.

Bank Interleave - эта опция устанавливает режим чередования циклов обновления и доступа банков памяти (для ускорения работы оперативная память разбивается на банки, что обычно происходит на уровне контроллера памяти). В одном из банков происходит цикл обновления, а в это время возможно обращение к другому для чтения или записи данных. Наиболее распространенная для современных материнских плат установка - 4. Менее производительная опция - 2. Если совсем ее отключить, это приведет к небольшому падению производительности. Bank Interleave практически не оказывает воздействия на стабильность работы системы.

Precharge to Active (Trp), иначе называется DRAM Precharge Time - определяет количество циклов, необходимых для того чтобы произошла перезарядка ячеек памяти после закрытия банка. Один из наиболее влиятельных таймингов. Современные системные платы допускают его значения 2 и 3 Т. Чем меньше этот параметр, тем лучше для производительности, но чрезмерное занижение может привести к нестабильной работе системы.

Tras Non-DDR400/DDR40 Active to precharge (Tras), иначе называется DRAM Cycle Time, - определяет наименьшее количество тактов, в течение которых строка открыта для передачи данных. Для Tras применимы значения 5 или 6 Т. Если Tras равен 5, то память работает немного быстрее, однако при таком состоянии дел транзакции в памяти могут не успеть завершиться. Надо сказать, что заниженный Tras может привести к невозможности запуска системы. Он оказывает не слишком сильное влияние на производительность, однако стабильность работы можно повысить, соответственно повысив этот тайминг.

Active to CMD (Trcd). Параметр Trcd (иначе RAS-to-CAS Delay) определяет задержку между сигналами выбора адресов строки и столбца в массиве памяти. Эта задержка появляется, когда происходит операция чтения или записи данных. Чем этот параметр меньше, тем лучше это сказывается на производительности. Операции чтения и записи происходят постоянно, поэтому Trcd - один из влиятельнейших параметров. Допустимые параметры для современных материнских плат находятся в диапазоне от 2 тактов до 5. Чем задержка меньше, тем, естественно, быстрее осуществляется адресация. RAS расшифровывается как Row Address Strobe, то есть сигнал выбора столбца в массиве памяти, CAS - Column Address Strobe - служит для выбора строки. Задержка RAS-to-CAS Delay нужна, чтобы процесс адресации проходил корректно, без сбоев.

DRAM burst Length - задает длину пакета данных, считываемых друг за другом при выполнении операции чтения. По умолчанию параметр обычно равен 4: по команде пакетного чтения из чипа памяти считываются подряд четыре двойных слова данных без задержек и таймаутов. Его увеличение (обычно до 8) позволяет сэкономить время при последовательном чтении и, следовательно, повысить производительность.

Dram Queue Depth - опция, характерная для материнских плат на чипсетах от VIA. Она позволяет управлять четырехступенчатым конвейерным буфером, который предназначен для организации быстрых циклов чтения данных, хранящихся в памяти. Чем выше уровень буферизации, тем больше запросов на чтение данных может быть выполнено в конвейерном режиме и тем выше производительность системы. Его максимальное значение равно 4, допустимые - 4, 3, 2.

Dram Command Rate - с его помощью можно изменять задержки при передачи данных между чипсетом и памятью. Возможные значения - 2 T, 1 T. Это один из тех параметров, которые довольно существенно влияют на производительность подсистемы памяти.

Write Recovery Time - время восстановления для цикла записи. Не самый важный параметр, но все же его уменьшение приводит к небольшому росту производительности. Доступные значения для современных системных плат - 2 T и 3 T. Dram tWTR - не самый влиятельный параметр. Определяет задержку после команды пакетного чтения данных, прерванной командой записи. Естественно, чем меньше этот параметр, тем быстрее будет работать память, но и тем вероятнее появление ошибки. Может принимать значения 1 и 3 Т.

Ну вот пока и всё. Итак, мы рассмотрели разгон процессора и оптимизацию работы оперативной памяти. Но это - далеко не все, что касается оптимизации системы. На очереди - разгон видеокарты, оптимизация программных параметров компьютера и всестороннее тестирование разогнанной машины. Обо всем этом мы напишем в том случае, если вам это интересно! Свои отзывы и вопросы пишите на Форум .

Удачных покупок Вам в нашем магазине!